最火英特尔开发出硅基超高感度光电二极管牌照架电表木工铣刀围巾粘箱机

英特尔开发出硅基超高感度光电二极管

美国英特尔于当地时间2008年12月7日开发成功了高速响应的硅基高感度光电二极管（APD：avalanche photo diode）。性能超过了原来的InP等化合物类的APD。由于同时实现了高性能和低成本，因此除长距离光缆的受光元件外，还可用于量子加密通信、高性能图像传感器和生物芯片等。该成果已刊登在12月7日的学术杂志“Nature Photonics”的络版上。 5 液压万能材料实验机调试

APD是1个光子进入受光部分时，像雪崩（该项目全名是PlasticPackagingRec华阴yclingusingIntelligentSepar电缆沟ationtechnologiesforMaterials(Prism)avalanche）一样生成10～100对电子和空穴的光电二极管（PD）。因此，感度比一般的PD高出10倍以上。只是，原来的APD多由铟和磷（InP）等的化合物制造，单价较高淮北，为200～300美元。

新开发APD的增益值和带宽值的乘积为340GHz，大幅超出一般InP制造APD的120GHz。所谓增益值和带宽值的乘积为340GHz，意味着增益为10倍时可以带宽为30G～40GHz，或增益为30拖车绳倍时可以带宽约为10GHz使用APD。当InP制APD元件减薄至0.2μm以下时，增益和带宽的乘积变大，但性能偏差也随之增大。而此次开发的APD，从理论上讲即使减薄其性能偏差也不会增大。

此次APD的高性能，是通过发挥将锗（Ge）用作红外线的吸收材料以及采用应变硅，即提高硅的载流子迁移率技术材料的两种作用实现的。原来将使用Ge的应变硅技术用于PD，存在因错位和缺陷变大导致暗电流增加的问题。而此次该问题“通过优化结晶生长的温度等参数已基本解决”（英特尔公司研究员兼英特尔光子技术实验室的负责人Mari2、弹簧实验机的平常保护o Paniccia）。即标准拉力试样处于拉伸状态

英特尔因该成果“尚处于研究开发阶段”，没有公开具体的实用化时期和成本。不过，“与基于InP的APD相比，成本的大幅降低毋庸置疑”。